巴魯夫BALLUFF傳感器的封裝形式有哪些？
BALLUFF傳感器的工作原理是利用敏感芯體的壓電效應(yīng)，而壓電材料產(chǎn)生的是高阻抗的電荷信號。傳感器敏感芯體的絕緣阻抗與傳感器的低頻測量截止頻率存在著相互對應(yīng)的關(guān)系。為了傳感器的低頻響應(yīng)，傳感器殼體封裝設(shè)計應(yīng)使敏感芯體與外界隔絕，以防止壓電陶瓷受到任何污染而導(dǎo)致其絕緣阻抗下降。敏感芯體絕緣阻抗下降對傳感器性能造成的直接影響表現(xiàn)為低頻響應(yīng)變差，嚴(yán)重時還將造成傳感器靈敏度改變。為傳感器的密封特性，大多傳感器的封裝采用激光焊接。同時在當(dāng)今密封材料品種多樣，性能日益完善的情況下，針對不同的使用環(huán)境，采用合適的密封材料替代激光焊接也能達(dá)到BALLUFF傳感器密封的要求。但必須指出不同的密封材料效果差異很大。

    在工業(yè)現(xiàn)場測試現(xiàn)場，為防止BALLUFF傳感器信號的影響，對用于工業(yè)現(xiàn)場的監(jiān)測傳感器往往要求傳感器采用雙重屏蔽殼封裝形式。雙層屏蔽結(jié)構(gòu)的傳感器輸出接頭一般采用雙芯工業(yè)接頭或聯(lián)體電纜輸出形式。由于雙層屏蔽殼的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和雙芯輸出電纜，傳感器的高頻特性一般將受到較大的制約，因此如果用戶必須選用雙層屏蔽型傳感器進(jìn)行高頻振動信號測量，應(yīng)謹(jǐn)慎考慮

BALLUFF傳感器由硅膜片、襯底、下電極和絕緣層構(gòu)成。其中下電極位于厚支撐的襯底上。電極上蒸鍍一層絕緣層。硅膜片則是利用各向異性腐蝕技術(shù)，在一片硅片上從正反面腐蝕形成的。上下電極的間隙由硅片的腐蝕深度決定。硅膜片和襯底利用鍵合技術(shù)鍵合在一起，形成具有一定穩(wěn)定性的硅膜片電容壓力傳感器[2]。由于鉑電阻耐高溫，且對溫度敏感，選用鉑電阻，既可以當(dāng)普通電阻使用，又可以作為溫度傳感器用以探測被測環(huán)境的溫度。